[发明专利]同时制造SOI晶体管和体衬底上的晶体管的方法

摘要

本公开涉及一种同时制造SOI型的MOS晶体管以及体衬底上的第一晶体管和第二晶体管的方法，包括：a)在覆盖半导体衬底的绝缘层上提供半导体层；b)形成掩模，该掩模包括在第二晶体管的位置上方的与待形成的第二晶体管相比宽度更小的中央开口；c)垂直于开口，完全蚀刻半导体层和绝缘层，因此导致在第二晶体管的位置处的绝缘层的剩余部分；d)外延生长半导体直到半导体层的上部水平；e)形成隔离沟槽；以及f)形成晶体管的栅极绝缘体，第二晶体管的栅极绝缘体包括绝缘层的所述剩余部分的至少一部分。

主权项

1.一种方法，包括：制造绝缘体上硅(SOI)晶体管、第一体衬底晶体管和第二体衬底晶体管，所述制造包括：形成覆盖半导体层的绝缘体上硅(SOI)晶体管区域的掩模层，所述半导体层在覆盖半导体衬底的绝缘层上，所述掩模层包括第一开口和与所述第一开口相比宽度更小的第二开口；与所述第一开口和所述第二开口垂直地分别蚀刻完全穿过所述半导体层和所述绝缘层的第一腔体和第二腔体，导致位于所述腔体之间的所述绝缘层和所述半导体层的剩余部分；在所述腔体中外延生长所述半导体衬底，直到所述半导体层的上部水平；在所述衬底中形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽将所述SOI晶体管区域与第一体衬底晶体管区域隔离，并且所述第二沟槽将所述第一体衬底晶体管区域与第二体衬底晶体管区域隔离，其中形成所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽留下所述第二体衬底晶体管区域中的在所述第二沟槽与所述第三沟槽之间的所述半导体层的剩余部分和所述绝缘层的剩余部分；以及分别形成所述SOI晶体管、所述第一体衬底晶体管和所述第二体衬底晶体管的栅极绝缘体，所述第二体衬底晶体管的栅极绝缘体包括所述第二体衬底晶体管区域中的所述绝缘层的所述剩余部分，并且在所述第二体衬底晶体管的边缘处比在所述第二体衬底晶体管的中央处更厚。