[发明专利]一种TSV通孔及其溅射工艺在审
| 申请号： | 201810759488.4 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109037145A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李春阳;于政;方梁洪;罗立辉 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;C23C14/02;C23C14/35 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 周积德 |
| 地址： | 315327 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种TSV通孔及其溅射工艺，所述溅射工艺包括种子层溅射，所述种子层溅射采用分步溅射法。本发明通过调整、优化溅射功率及沉积速率，能够使溅射的阻挡层和种子层更加的连续、致密；通过电镀后的通孔填充效果，确定了阻挡层和种子层最佳溅射厚度；同时开发了种子层分步溅射法，防止种子层连续溅射过程中温度过高对芯片造成的损伤，也避免连续溅射产生的膜层异常。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 种子层 连续溅射 溅射法 阻挡层 致密 溅射功率 通孔填充 电镀 膜层 中温 沉积 损伤 芯片 优化 开发 | ||
【主权项】：
1.一种TSV通孔溅射工艺，其特征在于，所述溅射工艺包括种子层溅射，所述种子层溅射采用分步溅射法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波芯健半导体有限公司，未经宁波芯健半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810759488.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
