[发明专利]一种光控神经突触仿生电子器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种光控神经突触仿生电子器件及其制备方法，其中，所述器件包括作为栅极的硅基底，从下至上依次设置在所述硅基底上的氧化物层、量子点层、聚合物层、半导体层以及金属薄膜顶电极，所述量子点层的材料为CsPbCl3、CsPbBr3和CsPbI3中的一种或多种。由于CsPbX3量子点具有光响应性，通过简单的调节光照波长来改变电子器件中的光生电流数值，进而可模拟人脑中兴奋性突触后电流增强效应，结合反向电场刺激可实现对抑制性突触后电流减弱效应。因此，本发明基于CsPbX3量子点的神经突触仿生电子器件具有易调控、低功耗、高稳定性等性能优点。

主权项

1.一种光控神经突触仿生电子器件，其特征在于，包括作为栅极的硅基底、从下至上依次设置在所述硅基底上的氧化物层、量子点层、聚合物层、半导体层以及金属薄膜顶电极，所述量子点层的材料为CsPbCl3、CsPbBr3和CsPbI3中的一种或多种。