[发明专利]气体蚀刻装置

摘要

本发明提供一种气体蚀刻装置，包含有上盖体具有第一气体抽出通道环设在第一容置空间周围，其外环设有第一气体抽出通道，下盖体具有第二容置空间放置晶圆，下盖体与上盖体接合使第一、第二容置空间及第一、第二气体抽出通道及第一、第二气体进入通道接合连通，气体喷洒元件设置在第一容置空间连通上盖体，气体喷洒元件自上盖体外接收蚀刻气体以喷洒于第一、第二容置空间，以进行晶圆蚀刻反应，反应后的蚀刻气体会被第一气体抽出通道抽出，同时第一气体进入通道自外部接收高压气体传输至第二气体进入通道，避免蚀刻气体泄漏，以形成防漏、高蚀刻效率的腔体。

主权项

1.一种气体蚀刻装置，其特征是包含：/n一上盖体，其中具有一第一容置空间、一第一气体抽出通道及一第一气体进入通道，该第一气体抽出通道环设于该第一容置空间周围，该第一气体进入通道环设于该第一气体抽出通道周围；/n一下盖体，其设置于该上盖体下方，该下盖体具有一第二容置空间、一第二气体抽出通道及一第二气体进入通道，该第二容置空间中能够放置一晶圆，以使该下盖体选择性移动以与该上盖体接合，并使该第二容置空间与该第一容置空间接合及连通、该第二气体抽出通道与该第一气体抽出通道接合及连通及该第二气体进入通道与该第一气体进入通道接合及连通；以及，/n一气体喷洒元件，其设置于该上盖体的该第一容置空间中，并与该上盖体相连通，当该上盖体与该下盖体接合后，该气体喷洒元件能够自该上盖体外部接收蚀刻气体，并将其喷洒于该第一容置空间及该第二容置空间，以使得该蚀刻气体与该晶圆进行反应，进行完该反应后的该蚀刻气体会被该第一气体抽出通道经由该第二气体抽出通道自该第一容置空间及该第二容置空间中抽出，同时该第一气体进入通道会持续自该上盖体外部接收高压气体以传输至该第二气体进入通道，以避免该蚀刻气体泄漏至该上盖体及该下盖体外。/n