[发明专利]气体蚀刻装置

权利要求书

1.一种气体蚀刻装置，其特征是包含：

一上盖体，其中具有一第一容置空间、一第一气体抽出通道及一第一气体进入通道，该第一气体抽出通道环设于该第一容置空间周围，该第一气体进入通道环设于该第一气体抽出通道周围；

一下盖体，其设置于该上盖体下方，该下盖体具有一第二容置空间、一第二气体抽出通道及一第二气体进入通道，该第二容置空间中能够放置一晶圆，以使该下盖体选择性移动以与该上盖体接合，并使该第二容置空间与该第一容置空间接合及连通、该第二气体抽出通道与该第一气体抽出通道接合及连通及该第二气体进入通道与该第一气体进入通道接合及连通；以及，

一气体喷洒元件，其设置于该上盖体的该第一容置空间中，并与该上盖体相连通，当该上盖体与该下盖体接合后，该气体喷洒元件能够自该上盖体外部接收蚀刻气体，并将其喷洒于该第一容置空间及该第二容置空间，以使得该蚀刻气体与该晶圆进行反应，进行完该反应后的该蚀刻气体会被该第一气体抽出通道经由该第二气体抽出通道自该第一容置空间及该第二容置空间中抽出，同时该第一气体进入通道会持续自该上盖体外部接收高压气体以传输至该第二气体进入通道，以避免该蚀刻气体泄漏至该上盖体及该下盖体外。

2.如权利要求1所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该上盖体及下盖体的周围还埋设至少一加热元件，其能够维持该上盖体接合该下盖体后的该蚀刻反应温度。

3.如权利要求2所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该至少一加热元件是管状热交换器。

4.如权利要求1所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该下盖体的该第二容置空间底部还包含至少三个支撑柱，该晶圆位于该至少三个支撑柱上。

5.如权利要求4所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该下盖体的该第二容置空间底部更还包含复数抽气槽道，其连通该第二容置空间及该第二气体抽出通道，以使该反应后的该蚀刻气体经该复数抽气槽道抽出至该下盖体及该上盖体外。

6.如权利要求1所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该下盖体凭借一升降装置进行移动。

7.如权利要求1所述的气体蚀刻装置，其特征在于：还包含一抽气组，其经管路连接该上盖体的该第一气体抽出通道，经由该第一气体抽出通道及该第二气体抽出通道将该第一容置空间及该第二容置空间中的该蚀刻气体抽出。

8.如权利要求7所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该抽气组是泵。

9.如权利要求1所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该高压气体是洁净干空气。

10.如权利要求1所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该第二气体抽出通道与该第一气体抽出通道的接合处及该第二气体进入通道与该第一气体进入通道的接合处分别设有一缓冲阻漏元件，以使该第二气体抽出通道与该第一气体抽出通道接合连通后及该第二气体进入通道与该第一气体进入通道接合连通后，避免该蚀刻气体渗漏。

11.如权利要求1所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该缓冲阻漏元件是O型环。

12.如权利要求1所述的气体蚀刻装置，其特征在于：该上盖体还包含一气体进入孔，其设置于该第一容置空间底部与该气体喷洒元件相连通，该气体进入孔能够自该上盖体外部接收该蚀刻气体以传输至该气体喷洒元件。