[发明专利]一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法，本发明通过制备前驱体溶液、将前驱体溶液旋涂在重掺杂硅片上形成掺镍氧化铜薄膜、利用掩膜版在掺镍氧化铜薄膜上制备金属源及漏电极，完成背栅结构晶体管即p型薄膜晶体管的制备。本发明背栅结构晶体管的性能较氧化铜薄膜晶体管的性能有明显提升。本发明制备的掺镍氧化铜薄膜具有薄膜质量高，载流子散射降低，空穴传输能力高，空穴的散射少的优点，使薄膜与介电层以及电极的接触界面质量得以提高，从而达到提高薄膜晶体管的迁移率的目的。

主权项

1.一种掺镍氧化铜薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：制备掺镍氧化铜薄膜的前驱体溶液选取丙三醇和去离子水，按体积比为1:1‑4配置混合溶液，然后取硝酸镍和硝酸铜按摩尔比为1‑5:999‑95溶于混合溶液中，配置0.1 mol/L浓度的前驱体溶液，通过磁力搅拌6‑12小时；得到掺镍氧化铜薄膜的前驱体溶液；步骤2：制备掺镍氧化铜薄膜选取重掺杂硅片，依次用丙酮清洗，时间为10‑20分钟；用去离子水清洗，时间为10‑20分钟；用乙醇清洗，时间为10‑20分钟；放置于退火炉中退火处理，预热时间为10～20分钟，预热温度为400‑600 ℃；将步骤1制备的前驱体溶液旋涂在重掺杂硅片上，然后，放置于退火炉中固胶处理，温度为100‑200℃；时间为2‑4小时；放置于退火炉中退火处理，温度为300‑400℃；时间为0.5‑1小时；制得厚度为20‑60纳米的掺镍氧化铜薄膜；步骤3：制备掺镍氧化铜薄膜晶体管用掩膜版在掺镍氧化铜薄膜上制备金属源及漏电极，厚度为30‑40纳米；制得所述掺镍氧化铜薄膜晶体管；其中：所述选取的重掺杂硅片上附有厚度为100纳米的二氧化硅，且二氧化硅构成所述掺镍氧化铜薄膜晶体管的介电层。