[发明专利]多面模塑半导体封装和相关方法在审
申请号: | 201810750840.8 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN109411368A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 黑濑英司 | 申请(专利权)人: | 半导体组件工业公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及多面模塑半导体封装和相关方法。形成半导体封装的方法的实施方式可包括在晶圆的第一侧上形成电触点,将光刻胶层施加到晶圆的第一侧,对光刻胶层进行图案化,以及使用光刻胶层在晶圆的第一侧中蚀刻凹槽。所述方法可包括将第一模塑料施加到凹槽中及晶圆的第一侧上方,将与晶圆的第一侧相对的晶圆的第二侧磨削到所述晶圆的第一侧中形成的凹槽,将第二模塑料和层压树脂中的一者施加到晶圆的第二侧,以及将晶圆切割成半导体封装。可由第一模塑料、所述第二模塑料和所述层压树脂中的一者覆盖每个半导体封装的六个侧面。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 半导体封装 塑料 层压树脂 光刻胶层 第二模 第一模 施加 多面 蚀刻 晶圆切割 电触点 刻胶层 图案化 磨削 侧面 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种形成半导体封装的方法,包括:在晶圆的第一侧上形成多个电触点;将光刻胶层施加到所述晶圆的所述第一侧;对所述光刻胶层进行图案化;使用所述光刻胶层在所述晶圆的所述第一侧中蚀刻多个凹槽;将第一模制化合物施加到所述多个凹槽中及所述晶圆的所述第一侧上方;将与所述晶圆的所述第一侧相对的所述晶圆的第二侧磨削到在所述晶圆的所述第一侧中形成的所述多个凹槽;将第二模制化合物和层压树脂中的一者施加到所述晶圆的第二侧;以及将所述晶圆切割成多个半导体封装,其中由所述第一模制化合物、所述第二模制化合物和所述层压树脂中的一者覆盖每个半导体封装的六个侧面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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