[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，该半导体装置能够抑制晶体管的特性变化并能够急剧改变输出信号，而不增加晶体管的W/L。在被供应低电位的布线与输出端子之间设置并联连接的两个晶体管。在从输出端子输出低电位的情况下，先使两个晶体管都处于导通状态，然后使其中一个晶体管处于截止状态。由此，够抑制晶体管的特性变化，并能够急剧改变输出信号，而不增加晶体管的W/L。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管，所述第一晶体管到所述第十二晶体管均具有相同的极性；其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第三晶体管的源极和漏极中的一个，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第五晶体管的源极和漏极中的一个，所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第六晶体管的源极和漏极中的一个，所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第一晶体管的栅极，所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第十二晶体管的栅极，所述第七晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第八晶体管的源极和漏极中的一个，所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第二晶体管的栅极，所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第五晶体管的栅极，所述第九晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第十晶体管的源极和漏极中的一个，所述第九晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第三晶体管的栅极，所述第九晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第六晶体管的栅极，所述第十一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第十二晶体管的源极和漏极中的一个，所述第十一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，所述第十一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第九晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，所述第十一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第十一晶体管的栅极，所述第八晶体管的W（沟道宽度）/L（沟道长度）大于所述第七晶体管的W/L，并且，所述第十晶体管的W/L大于所述第九晶体管的W/L。