[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810745274.1 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109119515B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 丁杰;秦双娇;胡任浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，多量子阱层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，多个GaN垒层中均掺有Si，且多个GaN垒层中的Si的掺杂浓度从靠近N型层向远离N型层的方向逐渐增加，可以使得空穴在多量子阱层中均匀分布，更多的空穴和电子可以在多量子阱层中辐射复合发光，提高了LED的发光效率。且Si的掺杂浓度为5×10 |
||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，其特征在于，所述多个GaN垒层中均掺有Si，且所述多个GaN垒层中的Si的掺杂浓度从靠近所述N型层向远离所述N型层的方向逐渐增加，Si的掺杂浓度为5×1017～1×1018cm‑3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810745274.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
