[发明专利]Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法

摘要

本申请公开一种Micro‑LED巨量转移方法、Micro‑LED显示装置及其制作方法，所述Micro‑LED巨量转移方法，通过将阵列上的LED芯片分为两部分，且LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，其中一部分的第一表面与第一转移基板结合，另一部分的第二表面与第二转移基板结合，将第一部分的LED转移至第一转移基板上，第二部分的LED转移至第二转移基板上。即通过将两个表面分别结合至两个转移基板上，然后通过一次分离，使得Micro‑LED实现巨量转移，无需剥离等复杂工艺，且LED芯片为已经制作完成的LED芯片，无需在巨量转移之后再进行芯片工艺，从而相对于现有技术而言，更加简单，而且成本较低。

主权项

1.一种Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，包括：/n提供Micro-LED阵列，所述Micro-LED阵列包括基底和位于所述基底表面的多个呈阵列排布的LED芯片，多个所述LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面位于所述基底表面，多个所述LED芯片分为第一部分和第二部分；/n提供临时载板、第一转移基板和第二转移基板；/n将所述基底背离所述LED芯片的表面与所述临时载板结合；/n将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合；/n去除所述临时载板和所述基底；/n将所述第二部分的LED芯片的第二表面与所述第二转移基板结合；/n将结合了所述第一转移基板和所述第二转移基板的LED芯片放置在去胶溶液中，分离所述第一部分和所述第二部分的LED芯片，使得所述第一部分的LED转移至所述第一转移基板上，所述第二部分的LED转移至所述第二转移基板上。/n