[发明专利]一种电子突触器件及制作方法有效
| 申请号： | 201810734872.9 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108933178B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 赖云锋;陈凡;陈帅;程树英;林培杰;俞金玲 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/263 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种包括重掺硅/二氧化硅衬底，氧化物线状介质、源电极和漏电极；所述重掺硅/二氧化硅衬底，重掺硅作为栅极；所述氧化物线状介质设置于重掺硅/二氧化硅衬底上方，作为导电沟道；所述源电极和漏电极分别设置于氧化物线状介质的两端，并与重掺硅/二氧化硅衬底形成电接触。本发明经等离子处理后增强了其电阻调节线性度，减少了转变过程的权重遗失，使得该器件更有利于作为电子突触使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 突触 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子突触器件,其特征在于：包括重掺硅/二氧化硅衬底，氧化物线状介质、源电极和漏电极；所述重掺硅/二氧化硅衬底，重掺硅作为栅极；所述氧化物线状介质设置于重掺硅/二氧化硅衬底上方，作为导电沟道；所述源电极和漏电极分别设置于氧化物线状介质的两端，并与重掺硅/二氧化硅衬底形成电接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810734872.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造半导体器件的方法和半导体器件
- 下一篇：一种薄膜晶体管及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
