[发明专利]一种类晶闸管过流保护电路及过流保护方法在审

专利信息
申请号: 201810732744.0 申请日: 2018-07-05
公开(公告)号: CN108880516A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 苏斌;刘建红;张冰锋 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 张弘
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种类晶闸管过流保护电路及过流保护方法,包括驱动输入端、类晶闸管保护电路、VDMOS管M及采样反馈电路;保护结构是通过一个类晶闸管结构实现的,具体为一个PNP、一个NPN的管子连接构成,如线路图所示(T1、T2)。当负载电流过大时,采样电阻上会产生较大的电压,会导致类晶闸管结构导通。类晶闸管结构导通之后,即使断掉控制信号,它还是持续导通的。类晶闸管结构导通后拉低VDMOS管栅源电压,使VDMOS管关闭。该设计具有触发电压低、维持电流小,短路保护时电流过冲小、结构形式简单,易于集成,电路灵活等优点。
搜索关键词: 晶闸管结构 导通 过流保护电路 过流保护 晶闸管 电路 线路图 晶闸管保护 驱动输入端 保护结构 采样电阻 持续导通 电流过冲 短路保护 反馈电路 管子连接 控制信号 维持电流 栅源电压 电压低 采样 触发 后拉 灵活
【主权项】:
1.一种类晶闸管过流保护电路,其特征在于,包括驱动输入端、类晶闸管保护电路、VDMOS管M及采样反馈电路;所述的类晶闸管保护电路包括NPN三极管T1和PNP三极管T2,所述的采样反馈电路包括采样电阻R0,驱动输入端的一侧与VDMOS管M的栅极连接,源级与电源连接,漏极连接采样电阻R0的一端;PNP三极管T2的发射极与VDMOS管M的栅极连接,PNP三极管T2的基极与NPN三极管T1的集电极连接,PNP三极管T2的基极与NPN三极管T1的发射极均与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端与VDMOS管M的漏极连接;NPN三极管T1的发射极与电阻R1的一端连接,PNP三极管T2的基极与电容C1一侧连接;电容C1另一侧、电阻R1另一端及采样电阻R0另一端均与驱动输入端的另一侧连接;采样电阻R0与接地之间串联有负载电阻RL。
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