[发明专利]一种可以在真空环境下连续进出料的CVD/PECVD设备在审
| 申请号： | 201810726973.1 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110629196A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 郝奕舟;陈剑豪;王天戌 | 申请（专利权）人： | 广州墨羲科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/26;C23C16/513 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510623 广东省广州市越秀*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可以在真空环境下连续进出料的CVD/PECVD装置，属于化学气相沉积(CVD)设备的技术领域，装置包括三个腔体，分别为：进料腔、反应腔、冷却腔；其中，反应腔内设有电传输机构、感温组件和支撑机构；进料腔和冷却腔内有基底材料及其载体的输送系统；其中，各腔体还配备有各自的输气、抽气系统。通过本发明提供的技术方案，实现了在CVD/PECVD制造碳材料的工艺过程中，无须改变反应腔室的温度和真空度就可以进出料的技术效果，解决了现有的CVD/PECVD设备必须在反应腔室降温和恢复大气压后才能出料和重新填料的工艺问题，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔室 反应腔 进出料 进料腔 冷却腔 腔体 化学气相沉积 抽气系统 感温组件 工艺过程 工艺问题 基底材料 技术效果 生产效率 输送系统 真空环境 支撑机构 电传输 碳材料 出料 输气 配备 制造 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置，包括：反应腔；进料腔，设置在所述反应腔的一端；冷却腔，设置在所述反应腔的另一端，其特征在于，所述反应腔包括石英腔体和设置在两端的连接法兰，所述进料腔和所述冷却腔两端各设置有真空舱门(4、6、5、7)。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
