[发明专利]一种可以在真空环境下连续进出料的CVD/PECVD设备在审
| 申请号: | 201810726973.1 | 申请日: | 2018-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN110629196A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
| 发明(设计)人: | 郝奕舟;陈剑豪;王天戌 | 申请(专利权)人: | 广州墨羲科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/26;C23C16/513 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 510623 广东省广州市越秀*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反应腔室 反应腔 进出料 进料腔 冷却腔 腔体 化学气相沉积 抽气系统 感温组件 工艺过程 工艺问题 基底材料 技术效果 生产效率 输送系统 真空环境 支撑机构 电传输 碳材料 出料 输气 配备 制造 恢复 | ||
1.一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,包括:反应腔;进料腔,设置在所述反应腔的一端;冷却腔,设置在所述反应腔的另一端,其特征在于,所述反应腔包括石英腔体和设置在两端的连接法兰,所述进料腔和所述冷却腔两端各设置有真空舱门(4、6、5、7)。
2.根据权利要求1所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述反应腔包括:石英腔体(2),设置于管式加热炉内(28),其材料为石英;第一连接法兰(24),设置于靠近所述进料腔(1)腔体的一侧,通过螺栓与所述进料腔的真空舱门(4)固定连接;第二连接法兰(25),设置于靠近所述冷却腔(3)腔体的一侧,通过螺栓与所述冷却腔的真空舱门(5)固定连接。
3.根据权利要求1~2所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述第一连接法兰的侧面设置有真空电极(13),所述第二连接法兰的侧面设置有真空电极(31)。
4.根据权利要求1~2所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述第一连接法兰的侧面设置有支撑架(30),所述第二连接法兰的侧面设置有支撑架(29)。
5.根据权利要求1~2所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述第一连接法兰的侧面还设置有进气口(23),所述第一连接法兰的侧面还设置有排气口(21)、真空度测试仪器接口(22)。
6.根据权利要求1~5所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述反应腔内设置有电传输机构(32),设置于所述反应腔腔体内的底部,用于输电;所述电传输机构是通过设置于所述连接法兰侧面(24)的所述真空电极(13)连接到外部输电电路。
7.根据权利要求1~5所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述反应腔内还设置有感温组件(14),设置于所述反应腔腔体内的底部,用于感测反应腔腔体内的温度;所述感温组件(14)是通过设置于所述连接法兰(25)侧面的所述真空电极(31)连接到外部控制电路。
8.根据权利要求1~5所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述反应腔内还设置有支撑机构,设置于所述反应腔腔体内的底部,用于支撑基底材料及其载体;所述支撑机构包括两根支撑杆(12)。所述支撑杆(12)的两端固定连接在所述连接法兰(24、25)的侧面的所述支撑架上(29、30)。
9.根据权利要求1所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述进料腔还包括:进料腔腔体(1);第一输送系统,设置于所述进料腔腔体内,用于承载和推送基底材料及其载体。
10.根据权利要求1所述的可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述冷却腔还包括:冷却腔腔体(3);第二输送系统,设置于所述冷却腔腔体内,用于承载和拉出基底材料及其载体。
11.根据权利要求9、10所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述第一输送系统和所述第二输送系统包括:支撑杆(15、16)、固定支架(8、10)、滑轨(9、11)以及各自的动力机构。所述支撑杆(15/16)固定在所述固定支架(8/10)上,所述固定支架(8/10)滑设于所述滑轨(9/11)上,所述动力机构控制所述固定支架(8/10)在所述滑轨(9/11)上的移动。
12.根据权利要求8、11所述的一种可以在真空环境下连续进出料的CVD装置,其特征在于,所述支撑杆(12、15、16)的材质为耐高温、强度高的材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州墨羲科技有限公司,未经广州墨羲科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810726973.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





