[发明专利]中厚外延的制备方法有效
| 申请号： | 201810722388.4 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109003886B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈海波;陈建纲 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强;倪嘉慧 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种中厚外延的制备方法，包括以下步骤：包括以下步骤：步骤一、进行腔体刻蚀，其中，在腔体的基座和出气口之间设置吸热装置，步骤二、在基座上生长一层多晶硅层；步骤三、硅片进入腔体进行外延生长。本发明可以降低外延制备的气体成本及保养成本，并且外延的质量更高。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中厚外延的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、进行腔体刻蚀，其中，在腔体的基座和出气口之间设置吸热装置，首先进行15～20秒的升温，将腔体温度升至1120℃～1170℃，在此过程中，通氢气3～5升/分钟；然后进行第一步刻蚀，时长10～15秒，温度维持在1120℃～1170℃，通氢气3～5升/分钟，并且通氯化氢15～20升/分钟；然后进行第二步刻蚀，时长8*(T‑4)至8*T秒，最少持续15～20秒，T为在腔体内的硅片上需要生长的外延厚度，温度维持在1120℃～1170℃，通氢气15～20升/分钟，并且通氯化氢15～20升/分钟；步骤二、在基座上生长一层多晶硅层；步骤三、硅片进入腔体进行外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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