[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板在审
| 申请号： | 201810717745.8 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108878539A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;王东方;赵策;周斌;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈俊;陈岚 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种薄膜晶体管，包括：衬底基板、布置在衬底基板上的有源层和源漏极以及直接布置在有源层上且与源漏极电连接的导电层，其中有源层和导电层的外边缘在同一个刻蚀步骤中形成。本公开还提供一种制作薄膜晶体管的方法，包括：形成有源材料层，并在有源材料层上形成导电材料层；在导电材料层上涂布光刻胶；利用半色调掩模对光刻胶进行曝光显影，使得光刻胶形成光刻胶完全去除区、光刻胶完全保留区和光刻胶部分保留区；利用同一刻蚀工艺移除光刻胶完全去除区对应的有源材料层和导电材料层，以形成有源层与图案化的导电材料层的叠层；部分移除光刻胶完全保留区的光刻胶，并完全移除光刻胶部分保留区的光刻胶；以及，移除光刻胶部分保留区对应的所述导电材料层，以形成导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶 导电材料层 保留区 移除 源层 薄膜晶体管 导电层 源材料 衬底基板 去除区 源漏极 半色调掩模 刻蚀步骤 曝光显影 显示面板 阵列基板 电连接 图案化 外边缘 叠层 制作 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：‑ 衬底基板，‑ 布置在所述衬底基板上的有源层和源漏极，以及‑ 直接布置在所述有源层上且与所述源漏极电连接的导电层，其中所述有源层和所述导电层的外边缘在同一个刻蚀步骤中形成。
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