[发明专利]一种新型结构的双向晶闸管

摘要

本发明提供了一种新型结构的双向晶闸管，包括晶闸管ThA和晶闸管ThB，两个晶闸管ThA和ThB反并联集成在同一硅片上，它们共用了同一个晶体管PN^‑P，通过中间的隔离槽将两只晶闸管完全分开，整个器件关于中心O对称。本发明两个反并联晶闸管结构完全对称，所以正反向触发灵敏度和均匀性一致、电热特性完全相同；中间的隔离槽将两个晶闸管完全分开，并在隔离槽上生长氧化层，防止两反并联晶闸管相互影响，既提高双向晶闸管的换向dv/dt耐量，又保证器件不受外界杂质污染。两个晶闸管可以单独设计，本发明成功研制了6英寸3000A/8500V特高压超大功率双向晶闸管，广泛应用于电力电子技术装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。

主权项

1.一种新型结构的双向晶闸管，包括晶闸管ThA和晶闸管ThB，其特征在于：从横向看，包括晶闸管ThA的中心门极(1)、晶闸管ThA的放大门极(2)、晶闸管ThA的阴极(3)、晶闸管ThA和晶闸管ThB共用的台面(4)、晶闸管ThB的阳极(5)，晶闸管ThA的中心门极(1)位于器件中心，为“蚕豆形状”，中心门极(1)一端设有放大门极(2)，放大门极(2)由一个线段状粗支干和三个圆弧状细支干组成，器件表面一侧设有晶闸管ThA的阴极(3)，另一侧设有晶闸管ThB的阳极(5)，放大门极(2)深入阴极(3)内部，均匀分隔阴极(3)区域，晶闸管ThA的阴极(3)与晶闸管ThB的阳极(5)之间设有隔离槽(6)，晶闸管ThA的中心门极(1)与晶闸管ThB的阳极(5)之间设有隔离槽(7)，晶闸管ThA的放大门极(2)与晶闸管ThA的阴极(3)之间设有隔离间距(8)，隔离槽(6)、(7)上设有绝缘保护的氧化层(9)，器件的最外端设有台面(4)圆环，与阴极(3)相连，纵向分五层四端结构，五层分别为NeA层、P+PeB层、N‑层、P+PeA层、NeB层；四端指AB+KA端、GA端、AA+KB端、GB端，形成晶闸管ThA和晶闸管ThB，集成在同一硅片内，关于中心O对称。