[发明专利]静电卡盘板的制造方法在审
| 申请号： | 201810714545.7 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109285806A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 古田健次;里百合子 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电卡盘板的制造方法，其能够以比以往更低的成本形成电极。本发明的静电卡盘板的制造方法是利用静电力对被加工物进行吸附并保持的静电卡盘板的制造方法，其包括下述步骤：导电体膜形成步骤，在基础基板的由绝缘体形成的绝缘面侧设置包含金属氧化物的导电体膜；以及电极形成步骤，在该导电体膜形成步骤之后，利用具有对于基础基板来说为透过性的波长的激光束对导电体膜进行烧蚀加工，在基础基板的绝缘面侧形成正负电极。 | ||
| 搜索关键词： | 导电体膜 静电卡盘 基础基板 绝缘面 制造 绝缘体 电极形成步骤 金属氧化物 被加工物 正负电极 电极 激光束 静电力 透过性 波长 烧蚀 吸附 加工 | ||
【主权项】：
1.一种静电卡盘板的制造方法，其是利用静电力对被加工物进行吸附并保持的静电卡盘板的制造方法，其特征在于，该方法具备下述步骤：导电体膜形成步骤，在基础基板的由绝缘体形成的绝缘面侧设置包含金属氧化物的导电体膜；以及电极形成步骤，在该导电体膜形成步骤之后，利用具有对于该基础基板来说为透过性的波长的激光束对该导电体膜进行烧蚀加工，在该基础基板的该绝缘面侧形成正负电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
