[发明专利]封装集成无源件在审
| 申请号： | 201810697190.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216544A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | A.阿莱克索夫;K.达马维卡塔;R.A.梅;S.甘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王健;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及封装集成无源件。一种半导体器件可以包括衬底的多个层。管芯可以耦合到衬底的所述多个层中的至少一个。可以在衬底的层内一体形成无源电学组件。无源电学组件可以是电阻器或电容器。一个或多个导体可以配置成允许无源电学组件与管芯之间的电学连通。所述一个或多个导体可以在衬底的所述多个层内一体形成。 | ||
| 搜索关键词： | 无源 衬底 电学组件 导体 封装集成 一体形成 管芯 电容器 半导体器件 电学连通 电阻器 耦合到 配置 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底的多个层；耦合到衬底的所述多个层中的至少一个的管芯；被一体地形成在衬底的层内的无源电学组件；以及配置成允许无源电学组件与管芯之间的电学连通的一个或多个导体，其中所述一个或多个导体被一体地形成在衬底的所述多个层内。
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