[发明专利]封装集成无源件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底的多个层；

耦合到衬底的所述多个层中的至少一个的管芯；

被一体地形成在衬底的层内的无源电学组件；以及

配置成允许无源电学组件与管芯之间的电学连通的一个或多个导体，其中所述一个或多个导体被一体地形成在衬底的所述多个层内。

2.权利要求1所述的半导体封装，其中无源组件与外部设备电学连通。

3.权利要求1所述的半导体封装，其中无源电学组件被包括在多个无源电学组件中。

4.权利要求1所述的半导体封装，其中无源组件是电阻器。

5.权利要求4所述的半导体封装，其中电阻器包括：

电阻式组件，所述电阻式组件由衬底的层的部分形成；以及

第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极耦合到电阻式组件，使得第一和第二电极通过电阻式组件电学连通。

6.权利要求4所述的半导体封装，其中电阻式组件包括包含以下的材料：氮化钛、钛和氮以一种形式的组合、镍、磷化镍、钽和铋。

7.权利要求1所述的半导体封装，其中无源组件是电容器。

8.权利要求7所述的半导体封装，其中电容器包括：

包含衬底的第一封装层；

第二封装层，所述第二封装层包括：

第一电极，所述第一电极耦合到第一封装层；

衬底的第二层，衬底的第二层大体围绕第一电极；以及

第三封装层，所述第三封装层包括：

介电组件，所述介电组件耦合到第一电极；

第二电极，所述第二电极耦合到介电组件；

衬底的第三层，衬底的第三层耦合到第二电极。

9.权利要求8所述的半导体封装，其中介电组件具有第一介电常数，并且还包括具有第二介电常数的第二介电组件。

10.权利要求11所述的半导体封装，其中第一介电常数不同于第二介电常数。

11.权利要求12所述的半导体封装，其中第一介电组件和第二介电组件位于衬底的相同层上。

12.权利要求8所述的半导体封装，其中第二电极大体围绕介电组件。

13.权利要求1所述的半导体封装，其中半导体封装是第一半导体封装，并且第一半导体封装耦合到第二半导体封装。

14.一种半导体器件，包括：

衬底的多个层；

管芯，所述管芯耦合到衬底的所述多个层中的至少一个；

电阻器，所述电阻器被一体地形成在衬底的层内，其中电阻器包括：

电阻器组件，所述电阻式组件由衬底的层的部分形成，以及

第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极耦合到电阻式组件，使得第一和第二电极通过电阻式组件电学连通；以及

一个或多个导体，所述一个或多个导体配置成建立电阻器与管芯之间的电学连通路径，其中所述一个或多个导体被一体地形成在衬底的所述多个层内。

15.权利要求14所述的半导体器件，其中电阻式组件的长度是电阻式组件的宽度的至少1.5倍。

16.权利要求14所述的半导体器件，其中电阻式组件包括包含以下的材料：氮化钛、磷化镍、铋。