[发明专利]一种硫化镍纳米片阵列的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810694366.1 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN108940318B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 郝秋艳;李士云;刘辉;任刚;贾冬波 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: B01J27/049 分类号: B01J27/049;B01J37/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300401 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种硫化镍纳米片阵列的制备方法。该方法包括以下步骤:将乙二胺和乙二硫醇按体积比4∶1溶解得到巯胺溶液,将0.5ml巯胺溶液涂覆在1*1cm‑2的泡沫镍的一侧表面上,随后将涂有巯胺溶液的泡沫镍在常温常压下静置24h;然后将样品放置到加热板上,在300℃下加热60s,得到硫化镍纳米片阵列。其中,涂覆量为每平方厘米0.20~0.30mL。本发明首次采用常压液相硫化的方法制备出了硫化镍纳米片阵列,极大的简化了硫化镍纳米片阵列的制备工艺,大大的降低了实验原料的消耗,并且在电流密度是20mA/cm2时,它的OER过电势是260mV。
搜索关键词: 一种 硫化 纳米 阵列 制备 方法
【主权项】:
1.一种硫化镍纳米片阵列的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)泡沫镍上滴涂巯胺溶液所述巯胺溶液由乙二胺和乙二硫醇按一定体积比溶解而成,所述泡沫镍的一侧表面上涂覆巯胺溶液;(2)制备硫化镍纳米片阵列将步骤(1)中滴涂好巯胺溶液的泡沫镍在常温常压下静置,然后将样品放到加热板上,在250‑350℃下退火30‑90s,得到硫化镍纳米片阵列。
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