[发明专利]一种硫化镍纳米片阵列的制备方法

权利要求书

1.一种硫化镍纳米片阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：

(1)泡沫镍上滴涂巯胺溶液

所述巯胺溶液由乙二胺和乙二硫醇按一定体积比溶解而成，所述泡沫镍的一侧表面上涂覆巯胺溶液；乙二胺和乙二硫醇的体积比为4∶1，每平方厘米泡沫镍涂覆有0.20～0.30mL巯胺溶液；

(2)制备硫化镍纳米片阵列

将步骤(1)中滴涂好巯胺溶液的泡沫镍在常温常压下静置，然后将样品放到加热板上，在250-350℃下退火30-90s，得到硫化镍纳米片阵列。

2.如权利要求1所述的硫化镍纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述泡沫镍的纯度为95％，密度为0.45g/cm³，孔隙率为95％，厚度为0.5～2mm，泡沫镍分别在丙酮、盐酸和去离子水中超声清洗15min。

3.如权利要求1所述的硫化镍纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，静置时间为16h，制备出纯相的硫化镍纳米片阵列，纳米片厚度为110-130nm，纳米片大小为1.4-1.6μm，纳米片阵列的空隙间距为300nm。

4.如权利要求1所述的硫化镍纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，静置时间为24h，制备出纯相的硫化镍纳米片阵列，纳米片厚度为90-110nm，纳米片大小为1.6-2.4μm，纳米片阵列的空隙间距为200nm。

5.如权利要求1所述的硫化镍纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，静置时间为32h，制备出纯相的硫化镍纳米片阵列，纳米片厚度为130-170nm，纳米片大小为1.2-1.4μm，纳米片阵列的空隙间距为500nm。

6.如权利要求1-5任一项所述的硫化镍纳米片阵列制备方法得到的硫化镍纳米片阵列在电催化中的应用，其特征在于，在电流密度是20mA/cm²时，硫化镍纳米片阵列过电势为260mV-300mV。