[发明专利]抑制固体介质材料二次电子产额的喷涂镀膜装置及方法有效
申请号: | 201810691590.5 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN108611623B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 孔飞;邵涛;任成燕;章程;严萍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/455;C23C16/34;C23C16/02 |
代理公司: | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人: | 王程远;胡玉章 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种抑制固体介质材料二次电子产额的喷涂镀膜装置及方法,属于等离子体技术领域。所述喷涂镀膜方法包括:将待处理试样清洗并干燥;搭建抑制固体介质材料二次电子产额的喷涂镀膜装置;进行大气压等离子体炬喷涂镀膜实验;进行二次电子产额测试和材料表面物理形貌观测。本发明利用大气压等离子体喷枪产生的等离子体炬,使反应前驱物反应并生成含Ti基团和N基团,在介质表面沉积形成致密均匀的TiN薄膜,具体的,使载气中的前驱物发生分解及聚合反应,在介质表面产生聚合、接枝、交联等作用,使沉积的薄膜形成“微陷阱”结构,降低表面粗糙度,抑制固体介质二次电子产额,提高介质表面绝缘性能。 | ||
搜索关键词: | 抑制 固体 介质 材料 二次电子 喷涂 镀膜 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种抑制固体介质材料二次电子产额的喷涂镀膜装置,其特征在于,包括:等离子体喷枪(3),其包括放电腔体,所述放电腔体的内部设有高压电极(2),所述高压电极(2)接高压电源(1)的高压输出端;所述放电腔体的外壳接地;所述放电腔体的顶部设有用于通激发气体第一进气口(4);所述放电腔体的底部设有喷嘴(6),所述喷嘴(6)的一侧设有用于通载气的第二进气口(5);所述喷嘴(6)的底部设有用于放置试样(15)的可移动试验台(17)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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