[发明专利]具有鳍结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201810688390.4 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109216460B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 金东宇;卢炫昊;金容丞;申东石;李宽钦;曹裕英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/165;H01L29/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
提供了一种半导体器件，包括：在包括负沟道场效应晶体管(nFET)区域和正沟道场效应晶体管(pFET)区域的衬底上的鳍结构；在鳍结构上的栅极结构；以及与栅极结构相邻的源极/漏极结构，其中形成在nFET区域中的源极/漏极结构是包括浓度为大约1.8×10 |
||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在包括负沟道场效应晶体管(nFET)区域的衬底上的鳍结构；形成在所述鳍结构上的栅极结构；和邻近于所述栅极结构形成的源极/漏极结构，所述源极/漏极结构由包括所述n型杂质的外延层形成，所述n型杂质的浓度为大约1.8×1021/cm3或更高，并且所述源极/漏极结构的外部分包括硅(Si)和锗(Ge)，并且所述源极/漏极结构的内部分包括Si但不包括Ge，其中所述源极/漏极结构的顶表面的倾斜表面部分与所述鳍结构的顶表面形成小于约54.7°的角度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810688390.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
