[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201810687951.9 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109256343B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 柿木理志;戎居博志 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基板处理装置，包括：保持单元，其水平保持基板；相向构件，其从上方与所述基板的上表面相向，能够与所述保持单元卡合；支撑构件，其支撑所述相向构件；升降单元，在使所述相向构件向上方离开了所述保持单元的状态下，使所述支撑构件在上位置与卡合位置之间升降，所述上位置是所述支撑构件对所述相向构件进行支撑的位置，所述卡合位置是所述上位置的下方的位置，并且是所述保持单元与所述相向构件相卡合的位置；检测单元，其设置在所述支撑构件上。所述检测单元，检测设在所述相向构件上的被检测部相对于所述检测单元的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：保持单元，其水平保持基板，相向构件，其从上方与所述基板的上表面相向，能够与所述保持单元卡合，支撑构件，其支撑所述相向构件，升降单元，在使所述相向构件向上方离开了所述保持单元的状态下，使所述支撑构件在上位置与卡合位置之间升降，所述上位置是所述支撑构件对所述相向构件进行支撑的位置，所述卡合位置是所述上位置的下方的位置，并且是所述保持单元与所述相向构件相卡合的位置，检测单元，其设置在所述支撑构件上；所述检测单元，检测设在所述相向构件上的被检测部相对于所述检测单元的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
