[发明专利]存储器装置及其刷新方法在审
| 申请号： | 201810685434.8 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660426A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 中冈裕司 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器装置及其刷新方法。所述存储器装置包括存储器阵列以及存储器控制电路。存储器控制电路计数存取指令的次数以产生第一计数值，计数刷新指令的次数以产生第二计数值。存储器控制电路在第一计数值等于第二计数值时锁存对应于存取指令的存储器区块地址以及存储列地址以获得列干扰刷新区块地址以及列干扰刷新列地址。存储器控制电路依据列干扰刷新区块地址以及列干扰刷新列地址对存储器区块进行列干扰刷新操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器控制电路 列地址 存储器装置 存取指令 区块地址 存储器区块地址 存储器区块 存储器阵列 刷新操作 锁存 存储 指令 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：/n存储器阵列，具有多个存储器区块，所述多个存储器区块的各一包括多个存储列；以及/n存储器控制电路，耦接至所述多个存储器区块，计数存取指令的次数以产生第一计数值，计数刷新指令的次数以产生第二计数值，其中所述存储器控制电路在所述第一计数值等于所述第二计数值时锁存对应于所述存取指令的存储器区块地址以及存储列地址以获得列干扰刷新区块地址以及列干扰刷新列地址，并且所述存储器控制电路依据所述列干扰刷新区块地址以及所述列干扰刷新列地址对所述存储器区块进行列干扰刷新操作。/n
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