[发明专利]一种二维材料-有机铁电材料超晶格存储器单元及其制备

摘要

本发明涉及一种二维材料‑有机铁电材料超晶格存储器单元及其制备，其制备方法具体为：a)取由衬底(1)、介质层(2)和多层二维材料(31)复合而成的器件结构浸入到含有机铁电材料(32)的电解质溶液中；b)在多层二维材料(31)上制作三电极体系并施加负电压，使得带正电荷的有机离子被嵌入到多层二维材料中，形成超晶格(3)；c)再在超晶格(3)两端设置金属电极，即完成。与现有技术相比，本发明采用一种电化学有机分子插层法，构建一类二维材料和有机铁电分子材料相互交替的稳定超晶格材料。超晶格内铁电材料形成的电容是处于并联状态，提高了存储单元的电容量和集成密度，同时具有稳定性好、操作电压低、功耗小及成本低等特点。

主权项

1.一种二维材料‑有机铁电材料超晶格存储器单元，其特征在于，至少包括衬底(1)、生长在衬底(1)上的介质层(2)，复合在介质层(2)上的超晶格(3)，所述超晶格由多层二维材料(31)和插入多层二维材料(31)的各单层之间的有机铁电材料(32)组成，所述超晶格(3)的两端分别生长有金属电极。