[发明专利]一种晶圆上接触孔的制备方法在审
| 申请号： | 201810679917.7 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108878353A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 宋保英;谢岩 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆上接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，并于衬底上形成绝缘层，绝缘层的上表面定义有中心区和围绕中心区的边缘区；步骤S2，于中心区内的绝缘层的上表面形成具有刻蚀图案的第一光阻层；步骤S3，于边缘区内的绝缘层的上表面制备第二光阻层，以覆盖边缘区内暴露出的绝缘层的上表面；步骤S4，对刻蚀图案暴露出的绝缘层进行刻蚀，以在绝缘层中形成连接衬底的至少一个接触孔沟槽；能够避免晶边处的绝缘层被误刻蚀，从而避免产生尖端放电缺陷，保证了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 上表面 接触孔 衬底 制备 刻蚀图案 光阻层 中心区 刻蚀 种晶 半导体技术领域 产品良率 尖端放电 边缘区 暴露 覆盖 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆上接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，并于所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层的上表面定义有中心区和围绕所述中心区的边缘区；步骤S2，于所述中心区内的所述绝缘层的上表面形成具有刻蚀图案的第一光阻层；步骤S3，于所述边缘区内的所述绝缘层的上表面制备第二光阻层，以覆盖所述边缘区内暴露出的所述绝缘层的上表面；步骤S4，对所述刻蚀图案暴露出的所述绝缘层进行刻蚀，以在所述绝缘层中形成连接所述衬底的至少一个接触孔沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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