[发明专利]显示器件制造方法及装置在审
| 申请号： | 201810670832.2 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108987265A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 吕明仁 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/225 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显示器件制造方法及装置。所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。本发明能提高其中的半导体构件的电性表现。 | ||
| 搜索关键词： | 显示器件 绝缘层 半导体构件 氢气 密封腔 氢原子 扩散 室内 电性表现 密封腔室 包覆 加热 制造 | ||
【主权项】：
1.一种显示器件制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
