[发明专利]显示器件制造方法及装置

说明书

本发明公开了一种显示器件制造方法及装置。所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。本发明能提高其中的半导体构件的电性表现。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示器件制造方法及装置。

【背景技术】

传统的显示器件一般包括栅极、绝缘层、半导体构件等部件，该半导体构件的电性表现是显示器件的显示质量的重要决定因素。

影响半导体构件的电性表现的因素有多种，氢含量是其中的一种。在实践中，发明人发现：传统的显示器件中的半导体构件中的氢含量较少，因此，传统的显示器件中的半导体构件的电性表现较低。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种显示器件制造方法及装置，其能提高其中的半导体构件的电性表现。

为解决上述问题，本发明的技术方案如下：

一种显示器件制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。

在上述显示器件制造方法中，所述预定温度处于300摄氏度至450摄氏度的范围内。

在上述显示器件制造方法中，所述预定温度处于330摄氏度至400摄氏度的范围内。

在上述显示器件制造方法中，在所述步骤C之前，所述方法还包括以下步骤：步骤E、对所述密封腔室进行抽真空处理。

在上述显示器件制造方法中，所述半导体构件所对应的半导体材料为多晶硅或非晶硅。

一种显示器件制造装置，所述显示器件制造装置包括：密封腔室，所述密封腔室用于容置显示器件；氢气输入器，所述氢气输入器用于向所述密封腔室内输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述显示器件的绝缘层中；加热器，所述加热器设置于所述密封腔室内，所述加热器用于将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述显示器件的半导体构件中。

在上述显示器件制造装置中，所述预定温度处于300摄氏度至450摄氏度的范围内。

在上述显示器件制造装置中，所述预定温度处于330摄氏度至400摄氏度的范围内。

在上述显示器件制造装置中，所述显示器件制造装置还包括：抽真空器，所述抽真空器用于对所述密封腔室进行抽真空处理。

在上述显示器件制造装置中，所述半导体构件所对应的半导体材料为多晶硅或非晶硅。

相对现有技术，在本发明中，由于在制造显示器件的过程中往半导体构件中注入较多的氢原子，因此提高了半导体构件中的氢原子的含量，进而提高了半导体构件的电性表现，有利于使得显示器件具有较高的显示质量。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

【附图说明】

图1为本发明放置有显示器件的显示器件制造装置的示意图；