[发明专利]P型晶硅太阳能电池的背场及背钝化层制备方法在审
| 申请号： | 201810669966.2 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110718604A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王懿喆;易武雄;潘鼎鼎;张卫 | 申请（专利权）人： | 上海硅洋新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 31297 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 邓文武 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型晶硅太阳能电池的背场及背钝化层制备方法，其包括如下步骤：在P型太阳能硅片的受光面（正面）形成稳定的PN | ||
| 搜索关键词： | 太阳能硅片 钝化层 氧化炉 背场 晶硅太阳能电池 放入 背面 氧化物膜层 一体化制备 热处理 太阳能电池 加热退火 膜层表面 无氧环境 真空环境 转化效率 背光面 负电荷 受光面 氧环境 膜层 制备 冷却 取出 | ||
【主权项】：
1.一种P型晶硅太阳能电池的背场及背钝化层制备方法，其特征在于包括如下步骤：/nS1:在P型太阳能硅片的受光面生成稳定的PN
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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