[发明专利]MEMS麦克风有效
| 申请号： | 201810663425.9 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108966100B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;董永伟 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智;马佑平 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS麦克风，包括第一衬底以及通过间隔部支撑在第一衬底上方的振膜，第一衬底、间隔部、振膜围成了真空腔；其中，振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与第一衬底之间的距离；还包括用于输出变化电信号的浮栅场效应晶体管，浮栅场效应晶体管包括设置在衬底上的源极、漏极，还包括设置在振膜上的浮动栅极。本发明的MEMS麦克风，振膜与第一衬底之间围成了真空腔，从而可以降低声阻对振膜振动的影响，提高了麦克风的信噪比。由于该结构的MEMS麦克风不需要较大容积的背腔，因此可以大大降低MEMS麦克风的整体尺寸，增强了麦克风的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS麦克风，其特征在于：包括第一衬底以及通过间隔部支撑在第一衬底上方的振膜，所述第一衬底、间隔部、振膜围成了真空腔；其中，振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与第一衬底之间的距离；还包括用于输出变化电信号的浮栅场效应晶体管，所述浮栅场效应晶体管包括设置在衬底上的源极、漏极，还包括设置在振膜上的浮动栅极。
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