[发明专利]一种硅料清洗方法

摘要

本发明公开了一种硅料清洗方法，属于半导体硅材料技术领域，解决了传统硅料清洗方法清洁度不高，清洗出的硅料纯度不高，严重影响了以硅料为原料的产品的性能。主要包括打磨、酸洗、碱洗、清洗、湿氧除杂、冲洗烘干等操作流程。本发明清洁程度很高，清洗出的硅料纯度很高，高纯度硅料使得以硅料为原料的产品性能大幅度提高；本发明得硅率高，能够使清洗过程中流失的硅料回收再利用，低碳节能环保，能为企业创造可观经济效益和社会效益，在半导体硅材料技术领域具有重要意义。

主权项

1.一种硅料清洗方法,其特征在于，包括如下步骤：a.打磨：将硅料原材料表面进行打磨，去除硅料表面明显的金属氧化物、SiO2及其他附着物；b.酸洗：将步骤a的产物快速浸入酸洗混合溶液中进行酸洗腐蚀，酸洗时间为45‑75s；c.碱洗：将步骤b的产物快速浸入碱洗溶液进行碱洗；d.清洗：将步骤c的产物放入超声波清洗槽中，清洗掉硅料上的残液，超声波清洗时间为60‑120s；e.湿氧除杂：将步骤d的产物在扩散炉内湿氧氧化，其条件为水浴温度为90‑98℃，氧化温度为700‑820℃，氧气流量为760‑820ml/min，氧化完成后冷却至常温并放入氢氟酸溶液中浸泡30‑45min，待时间达到后，取出该步骤产物；f.冲洗烘干：将步骤e的产物用去离子水进行冲洗，冲洗干净后放入烘箱进行烘干，烘干温度为105‑115℃，烘干时间持续25‑35min；烘干完成后包装入库。