[发明专利]一种硅料清洗方法

权利要求书

1.一种硅料清洗方法,其特征在于，包括如下步骤：

a.打磨：将硅料原材料表面进行打磨，去除硅料表面明显的金属氧化物、SiO2及其他附着物；

b.酸洗：将步骤a的产物快速浸入酸洗混合溶液中进行酸洗腐蚀，酸洗时间为45-75s；

c.碱洗：将步骤b的产物快速浸入碱洗溶液进行碱洗；

d.清洗：将步骤c的产物放入超声波清洗槽中，清洗掉硅料上的残液，超声波清洗时间为60-120s；

e.湿氧除杂：将步骤d的产物在扩散炉内湿氧氧化，其条件为水浴温度为90-98℃，氧化温度为700-820℃，氧气流量为760-820ml/min，氧化完成后冷却至常温并放入氢氟酸溶液中浸泡30-45min，待时间达到后，取出该步骤产物；

f.冲洗烘干：将步骤e的产物用去离子水进行冲洗，冲洗干净后放入烘箱进行烘干，烘干温度为105-115℃，烘干时间持续25-35min；烘干完成后包装入库；

所述步骤e操作完后，还进行硅粉团提取步骤，其包括，

e1:首先按照1:2的体积比配好氨水和双氧水的混合溶液，然后将该混合溶液加入到所述步骤e中的浸泡完后的氢氟酸溶液中进行分离反应，所述浸泡完后的氢氟酸溶液与氨水双氧水混合溶液的体积比为2:1-3:1；

e2:待步骤e1的分离反应10-15min后将三者混合液经过过滤装置过滤得到沉淀硅粉；

f1:将步骤e2的产物用去离子水进行冲洗，冲洗干净后放入烘箱进行烘干，烘干温度为105-115℃，烘干时间持续25-35min；烘干完成后包装入库。

2.根据权利要求1所述的一种硅料清洗方法，其特征在于：所述步骤a中的打磨包括一级打磨和二级打磨；所述一级打磨采用特种抛丸机打磨；所述二级打磨是将经所述特种抛丸机打磨后的产物再经角向磨光机进行人工手动二次打磨。

3.根据权利要求1所述的一种硅料清洗方法，其特征在于：所述步骤b中的酸洗混合溶液为浓硝酸与质量百分比浓度为10％氢氟酸的混合液，其中二者质量配比比例为5:1。

4.根据权利要求1所述的一种硅料清洗方法，其特征在于：所述碱洗溶液为片碱与水的混合溶液，其中质量配比比例为1:1。

5.根据权利要求1所述的一种硅料清洗方法，其特征在于：所述扩散炉的型号为M5113-4四管扩散炉。

6.根据权利要求1所述的一种硅料清洗方法，其特征在于：所述步骤e1中的氢氟酸的质量百分比浓度为1％-6％，氨水的质量百分比浓度为25％-28％，双氧水的质量百分比浓度为50％。

7.根据权利要求1所述的一种硅料清洗方法，其特征在于：所述过滤装置为硅粉过滤筛。