[发明专利]CIGS薄膜的制备方法及CIGS薄膜太阳能组件在审
| 申请号： | 201810652703.0 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108831825A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵树利;杨立红;陈涛 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种CIGS薄膜的制备方法及CIGS薄膜太阳能组件。本发明提供的CIGS薄膜的制备方法包含如下步骤：在基底表面制备具有凹陷和/或凸起的表面结构的钼金属薄膜；在钼金属薄膜的表面制备CIGS薄膜。本发明所提供的CIGS薄膜的制备方法中，引入了对钼金属薄膜表面形貌的加工处理，在钼金属薄膜的表面形成凹陷和/或凸起结构，从而使得进一步制备的CIGS薄膜与钼金属薄膜之间的接触方式由传统的平面方式转变成局部嵌入式的接触方式，有效提高了CIGS薄膜在钼金属薄膜表面的附着力，以该种CIGS薄膜进一步制备的CIGS薄膜太阳能组件适于进行异型组件制作等复杂加工工序。 | ||
| 搜索关键词： | 钼金属薄膜 制备 太阳能组件 接触方式 凹陷 附着力 太阳能电池技术 表面结构 表面形成 表面形貌 表面制备 基底表面 加工工序 平面方式 凸起结构 异型组件 传统的 嵌入式 凸起 引入 制作 | ||
【主权项】：
1.一种CIGS薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S1、在基底表面制备具有凹陷和/或凸起的表面结构的钼金属薄膜；S2、在所述钼金属薄膜的表面制备CIGS薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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