[发明专利]具有多个热界面的相变存储器电极有效
| 申请号： | 201810651519.4 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109427969B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 黄立独;M.D.阿波达卡;平野敏树;赵爱莲;G.C.威克;F.纳迪 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种提供相变存储器的系统和方法，相变存储器包含诸如硫族化合物材料的相变材料，其与包括多个热界面的加热元件串联。多个热界面可以使得加热元件具有降低的体热导率或跨加热元件较低的传热速率，而没有电导率的对应的降低。相变材料可以包括锗‑锑‑碲化合物或硫族化合物玻璃。加热元件可以包含具有不同热导率的多个传导层。在一些情况下，加热元件可以包含两个或更多个传导层，其中传导层包括相同的导电材料或化合物，但使用不同的温度、载体气体压力、流率和/或膜厚度沉积或形成，以在两个或更多个传导层之间产生热界面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多个热 界面 相变 存储器 电极 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，包括：位线；字线；以及存储器单元，所述存储器单元布置在所述字线与所述位线之间，所述存储器单元包含相变材料层，所述相变材料层直接连接到传导材料的第一层，所述传导材料的第一层以第一组沉积条件沉积，所述传导材料的第一层直接连接到所述传导材料的第二层，所述传导材料的第二层以与所述第一组沉积条件不同的第二组沉积条件沉积。
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