[发明专利]一种低阻LED的芯片外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810645931.5 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108538982A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;寇建权;邵华;张勇辉;楚春双;田康凯 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种低阻LED的芯片外延结构及其制备方法。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型半导体材料层、电流扩展层和P‑型欧姆电极；其中，电流扩展层和N极欧姆接触层中分别嵌有绝缘层；所述的外延结构还包括N极欧姆接触层和N‑型欧姆电极；N极欧姆接触层位于部分N‑型半导体材料层之上；N‑型欧姆电极位于N极欧姆接触层之上。本发明制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步减小欧姆接触电阻的基础上，也一定程度上增加了载流子的注入效率，实现性能的大幅改善。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触层 半导体材料层 欧姆电极 外延结构 制备 电流扩展层 低阻 绝缘层 载流子 芯片 欧姆接触电阻 外延生长方向 多量子阱层 注入效率 缓冲层 衬底 减小 嵌有 | ||
【主权项】：
1.一种低阻LED的芯片外延结构，其特征为该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型半导体材料层、电流扩展层和P‑型欧姆电极；其中，电流扩展层和N极欧姆接触层中分别嵌有绝缘层；所述的外延结构还包括N极欧姆接触层和N‑型欧姆电极；N极欧姆接触层位于部分N‑型半导体材料层之上；N‑型欧姆电极位于N极欧姆接触层之上；其中，绝缘层所用材质为无掺杂的AlN、SiO2、Si3N4、Al2O3、金刚石、LiF或PMMA，厚度为0.5～25nm，绝缘层的投影形状为圆形、三角形、矩形或圆环，侧面为矩形、阶梯状、凹凸状或空心状, 绝缘层向下投影面积分别占电流扩展层和N极欧姆接触层的1%～99%。
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