[发明专利]一种ITO镀膜靶材及其制备方法

摘要

本发明公开一种ITO镀膜靶材的制备方法，涉及镀膜技术领域，包括铟锡氧化物制备、混合氧化物配方、添加粘合剂和烧结等工艺步骤。本发明，工艺设计科学、合理，靶材靶材密度合适，均匀性好，制备方便，生产效率高，节约成本，作用安全、可靠，用于镜片镀膜，不开裂，性能稳定，附着性好，形成的镀膜具有很好的均匀性、导电性和透明性，可以有效切断对人体有害的电子辐射、紫外线及蓝光，确保产品质量。

主权项

1.一种ITO镀膜靶材及其制备方法，其特征在于，包括如下方法及步骤：A.铟锡氧化物制备（1）选用纯铟，以及氯化亚锡，其中，铟、锡二者摩尔比为10:1～10:1.2，加入优质纯盐酸进行溶解，通过搅拌，使它们溶解趋于饱和，获得混合均匀的氯化亚铟以及氯化亚锡混合酸性溶液；（2）在上述步骤获得的混合酸性溶液中加入氢氧化钠，至溶液接近中性，获得氧化铟·氧化锡·氯化钠混合溶液，过滤氯化钠，获得氧化铟和氧化锡混合液；（3）将氧化铟和氧化锡混合液滤去水分，获得铟锡氧化物潮湿粉体。B.混合氧化物配置混合氧化物潮湿粉体其重量份数配比为：铟锡氧化物潮湿粉体100份，氧化锌粉体0.5份～2份，混合均匀，获得混合氧化物潮湿粉体；C.添加粘合剂在混合氧化物潮湿粉体中，加入粘合剂，其重量份数配比为：混合氧化物潮湿粉体100份，粘合剂0.5份～5份，调和均匀，获得湿润混合物；D.烘燥将前道获得的湿润混合物在烘箱中烘燥，烘干水分，烘燥温度90℃～110℃温度，获得干燥混合物；E.压制将前道获得的干燥混合物置于合金模具中，压制成形，获得烧结前驱物；F.烧结把以上获得烧结前驱物，装入容器，置于真空烧结炉中烧结，所述真空烧结炉真空度为0.01帕～0.0001帕，烧结温度为1200℃～1300℃，保温2小时～6小时，然后自然冷却降温至室温，获得ITO镀膜靶材成品。