[发明专利]一种ITO镀膜靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种ITO镀膜靶材及其制备方法，其特征在于，包括如下方法及步骤：

A.铟锡氧化物制备

（1）选用纯铟，以及氯化亚锡，其中，铟、锡二者摩尔比为10:1～10:1.2，加入优质纯盐酸进行溶解，通过搅拌，使它们溶解趋于饱和，获得混合均匀的氯化亚铟以及氯化亚锡混合酸性溶液；

（2）在上述步骤获得的混合酸性溶液中加入氢氧化钠，至溶液接近中性，获得氧化铟·氧化锡·氯化钠混合溶液，过滤氯化钠，获得氧化铟和氧化锡混合液；

（3）将氧化铟和氧化锡混合液滤去水分，获得铟锡氧化物潮湿粉体。

B.混合氧化物配置

混合氧化物潮湿粉体其重量份数配比为：铟锡氧化物潮湿粉体100份，氧化锌粉体0.5份～2份，混合均匀，获得混合氧化物潮湿粉体；

C.添加粘合剂

在混合氧化物潮湿粉体中，加入粘合剂，其重量份数配比为：混合氧化物潮湿粉体100份，粘合剂0.5份～5份，调和均匀，获得湿润混合物；

D.烘燥

将前道获得的湿润混合物在烘箱中烘燥，烘干水分，烘燥温度90℃～110℃温度，获得干燥混合物；

E.压制

将前道获得的干燥混合物置于合金模具中，压制成形，获得烧结前驱物；

F.烧结

把以上获得烧结前驱物，装入容器，置于真空烧结炉中烧结，所述真空烧结炉真空度为0.01帕～0.0001帕，烧结温度为1200℃～1300℃，保温2小时～6小时，然后自然冷却降温至室温，获得ITO镀膜靶材成品。

2.根据权利要求1所述一种ITO镀膜靶材及其制备方法，其特征在于，所述纯铟，纯度为4N以上。

3.根据权利要求1所述一种ITO镀膜靶材及其制备方法，其特征在于，所述纯铟，为铟粒或铟粒丝。

4.根据权利要求1所述一种ITO镀膜靶材及其制备方法，其特征在于，所述中性，ph值为6～7。

5.根据权利要求1所述一种ITO镀膜靶材及其制备方法，其特征在于，所述粘合剂，为聚乙烯醇或羧甲基纤维素。