[发明专利]一种氮化硼薄膜的转移方法

摘要

本发明公开了一种氮化硼薄膜的转移方法。本发明采用高分子聚合物作为辅助柔性外框，将低压化学气相沉积获得的单层六方氮化硼快速转移到目标衬底上，摆脱高分子聚合物残留的困扰，可以快速获得形状可控的六方氮化硼(h‑BN)薄膜样品，经多次转移可获得精确层数的六方氮化硼薄膜样品。

主权项

1.一种氮化硼薄膜的转移方法，包括以下步骤：步骤1： 采用化学气相沉积法在生长衬底表面生长单层h‑BN薄膜，获得h‑BN/生长衬底；步骤2： 将h‑BN/生长衬底剪裁出所需形状；在h‑BN/生长衬底边缘涂抹高分子聚合物有机溶液；涂抹后在空气中干燥5~30min形成高分子聚合物柔性框格；将高分子聚合物柔性框格/h‑BN/生长衬底置于加热台上加热至80~120℃，保温10~30min；样品自然冷却至室温后取下；步骤3、将高分子聚合物柔性框格/h‑BN/生长衬底浸入金属腐蚀溶液中浸泡，直至完全去除生长衬底，获得漂浮于液面上的高分子聚合物柔性框格/h‑BN；步骤4： 在容器一侧缓慢注入第二溶液；在容器另一侧缓慢抽取溶解有金属的腐蚀溶液；直至第二溶液完全取代金属腐蚀溶液；所述的第二溶液能使高分子聚合物柔性外框/h‑BN漂浮，且不和高分子聚合物柔性框格/h‑BN反应，且在室温下第二溶液的表面张力小于去离子水；步骤5： 选取面积小于高分子聚合物柔性框格的目标衬底放入第二溶液中，并且目标衬底置于在高分子聚合物柔性框格/h‑BN正下方；用微量注射器缓慢抽取第二溶液，当液面低于目标衬底时，高分子聚合物柔性框格和h‑BN在目标衬底边缘遭遇剪切和分离；由于目标衬底小于高分子聚合物柔性框格，h‑BN沉积至衬底表面，同时高分子聚合物柔性框格随液面下降，未沉积在目标衬底表面；步骤6：将转移后的样品自然干燥后，放入干燥箱内，120~170℃烘烤1~1.5小时，随后自然冷却至室温，作为下一次转移的基底；步骤7：重复步骤2,3,4,5和6；将h‑BN转移至前一次形成的基底，最终形成可控形状且精确层数的h‑BN/衬底。