[发明专利]一种增强近红外量子效率的图像传感器结构和形成方法在审
| 申请号： | 201810621320.7 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108847418A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;张磊 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种增强近红外量子效率的图像传感器结构，包括：硅衬底；设于正面的所述硅衬底中的光电二极管；设于所述硅衬底正面的传输管和光反射结构；其中，所述光反射结构对应位于光电二极管的下方；设于所述硅衬底正面下方的层间介质层，设于层间介质层中的金属互连层；其中，所述光反射结构用于将自硅衬底背面入射的光线再次反射至光电二极管中，以实现对近红外入射光线的收集，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，从而提高了背照式像素单元的近红外量子效率。本发明还公开了一种增强近红外量子效率的图像传感器结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅衬底 红外量子 图像传感器结构 光电二极管 光反射结构 层间介质层 金属互连层 近红外光 入射光线 像素单元 背照式 传输管 硅衬 入射 反射 背面 吸收 保证 | ||
【主权项】：
1.一种增强近红外量子效率的图像传感器结构，其特征在于，包括：硅衬底；设于正面的所述硅衬底中的光电二极管；设于所述硅衬底正面的传输管和光反射结构；其中，所述光反射结构对应位于光电二极管的下方；设于所述硅衬底正面下方的层间介质层，设于层间介质层中的金属互连层；其中，所述光反射结构用于将自硅衬底背面入射的光线再次反射至光电二极管中，以实现对近红外入射光线的收集。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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