[发明专利]光传感器及使用它的光检测装置有效
申请号: | 201810613181.3 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN109285846B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 铃鹿理生;内田隆介;松井太佑 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 有关本公开的一技术方案的光传感器具备:第1电极;第2电极,与第1电极对置;和光电变换层,被配置在第1电极与第2电极之间,将入射光变换为电荷。从由第1电极及第2电极构成的群中选择的至少1个电极具有透光性。光电变换层含有钙钛矿型化合物。钙钛矿型化合物的荧光波谱具有第1尖峰、和位于比第1尖峰更靠长波长侧的第2尖峰。光电变换层与第1电极及第2电极分别欧姆接触。 | ||
搜索关键词: | 传感器 使用 检测 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光传感器,其特征在于,具备:第1电极;第2电极,与上述第1电极对置;和光电变换层,被配置在上述第1电极与上述第2电极之间,将入射光变换为电荷;从由上述第1电极及上述第2电极构成的群中选择的至少1个电极具有透光性;上述光电变换层含有钙钛矿型化合物;上述钙钛矿型化合物的荧光波谱具有第1尖峰、和位于比上述第1尖峰更靠长波长侧的第2尖峰;上述光电变换层与上述第1电极及上述第2电极分别欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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