[发明专利]光传感器及使用它的光检测装置

权利要求书

1.一种光传感器，其特征在于，

具备：

第1电极；

第2电极，与上述第1电极对置；和

光电变换层，被配置在上述第1电极与上述第2电极之间，将入射光变换为电荷；

从由上述第1电极及上述第2电极构成的群中选择的至少1个电极具有透光性；

上述光电变换层含有钙钛矿型化合物；

上述钙钛矿型化合物的荧光波谱具有第1尖峰、和位于比上述第1尖峰更靠长波长侧的第2尖峰；

上述光电变换层与上述第1电极及上述第2电极分别欧姆接触。

2.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

上述第1电极的功函数的值与上述第2电极的功函数的值的差是0.5eV以下。

3.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

上述钙钛矿型化合物具有与上述第1尖峰对应的第1带隙、和与上述第2尖峰对应的第2带隙；

上述第1电极或上述第2电极的功函数的值位于上述第1带隙的导带下端与上述第2带隙的导带下端之间、或上述第1带隙的价带上端与上述第2带隙的价带上端之间。

4.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

上述第1尖峰位于800nm以上840nm以下的波长范围中；

上述第2尖峰位于850nm以上910nm以下的波长范围中。

5.一种光检测装置，其特征在于，

具备：

光传感器；和

检测部，电连接于上述光传感器；

上述光传感器具备：

第1电极；

第2电极，与上述第1电极对置；和

光电变换层，被配置在上述第1电极与上述第2电极之间，将入射光变换为电荷；

从由上述第1电极及上述第2电极构成的群中选择的至少1个电极具有透光性；

上述光电变换层含有钙钛矿型化合物；

上述钙钛矿型化合物的荧光波谱具有第1尖峰、和位于比上述第1尖峰更靠长波长侧的第2尖峰；

上述光电变换层与上述第1电极及上述第2电极分别欧姆接触。

6.如权利要求5所述的光检测装置，其特征在于，

还具备电连接于上述光传感器的二极管。

7.如权利要求5所述的光检测装置，其特征在于，

还具备电连接于上述光传感器的电荷蓄积部。

8.如权利要求7所述的光检测装置，其特征在于，

上述电荷蓄积部构成为，蓄积正电荷及负电荷中的每一种。

9.如权利要求5所述的光检测装置，其特征在于，

还具备电连接于上述光传感器的电源装置。

10.如权利要求5所述的光检测装置，其特征在于，

上述第1尖峰位于800nm以上840nm以下的波长范围中；

上述第2尖峰位于850nm以上910nm以下的波长范围中。

11.一种光吸收材料，含有用组成式AMX₃表示的钙钛矿型化合物，A是1价的阳离子，M是2价的阳离子，X是1价的阴离子，其特征在于，

上述M含有Sn²⁺；

上述光吸收材料的荧光波谱具有第1尖峰、和位于比上述第1尖峰更靠长波长侧的第2尖峰。

12.如权利要求11所述的光吸收材料，其特征在于，

上述A含有甲脒鎓阳离子。

13.如权利要求11所述的光吸收材料，其特征在于，

上述第1尖峰位于800nm以上840nm以下的波长范围中；

上述第2尖峰位于850nm以上910nm以下的波长范围中。