[发明专利]低k栅极间隔件及其形成有效
| 申请号： | 201810609921.6 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786460B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 卢柏全;王俊尧;李志鸿;柯忠廷;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例描述了栅极结构和栅极间隔件以及形成这些的方法。在实施例中，一种结构包括位于衬底上的有源区，位于有源区上且位于衬底上方的栅极结构，以及位于有源区上且沿着栅极结构的侧壁的低k栅极间隔件。栅极结构包括位于有源区上的共形栅极电介质并且包括位于共形栅极电介质上方的栅电极。共形栅极电介质沿着低k栅极间隔件的第一侧壁垂直延伸。在一些实施例中，可以在已经通过替换栅极工艺去除伪栅极结构之后使用选择性沉积工艺来形成低k栅极间隔件。本发明实施例涉及低k栅极间隔件及其形成。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 间隔 及其 形成 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：有源区，位于衬底上；栅极结构，位于所述有源区上且位于所述衬底上方，所述栅极结构包括位于所述有源区上的共形栅极电介质并且包括位于所述共形栅极电介质上方的栅电极；以及低k栅极间隔件，位于所述有源区上并且沿着所述栅极结构的侧壁，所述共形栅极电介质沿着所述低k栅极间隔件的第一侧壁垂直延伸。
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