[发明专利]氮化物半导体外延衬底及半导体器件在审
| 申请号： | 201810604023.1 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109103251A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 田中丈士 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体外延衬底及半导体器件。本发明的课题在于抑制使用氮化物半导体外延衬底构成高电子迁移率晶体管时的二维电子气的经时变化。本发明的解决手段为一种氮化物半导体外延衬底，其具备衬底、作为存在有二维电子气的电子渡越层的第一氮化物半导体层、和作为电子供给层的第二氮化物半导体层，其中，对于第二氮化物半导体层而言，氢浓度为比第一氮化物半导体层高的浓度，并且，包含与第一氮化物半导体层的氢浓度差为2×1018cm‑3以下的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物半导体 氮化物半导体层 衬底 半导体器件 二维电子气 高电子迁移率晶体管 电子渡越层 电子供给层 经时变化 浓度差 | ||
【主权项】：
1.氮化物半导体外延衬底，其具备：衬底，在所述衬底上形成的、作为存在有二维电子气的电子渡越层的第一氮化物半导体层，和在所述第一氮化物半导体层上形成的作为电子供给层的第二氮化物半导体层，对于所述第二氮化物半导体层而言，氢浓度为比所述第一氮化物半导体层高的浓度，并且，包含与所述第一氮化物半导体层的氢浓度差为2×1018cm‑3以下的部分。
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