[发明专利]半导体激光器在审
| 申请号： | 201810577034.5 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109103746A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 宫坂文人 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体激光器。包括衬底和活性层与p型包覆层之间的p型电子溢出防止层的半导体激光器还包括p型应变层(p型AlzIn1‑zAs层，其中z>x)，p型应变层具有大的带隙、在p型电子溢出防止层(p型AlxIn1‑xAs层)和p型覆盖层之间。通过设置p型应变层(p型AlzIn1‑zAs层)，能够降低价带上的异质结尖峰的高度，从而降低向活性层注入空穴的势垒，从而降低元件中的电阻并且减少半导体激光器中的发热。另外，能带中的导带势垒(ΔEc)被提高，从而有效地防止电子溢出。因此，半导体激光器的特性得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 应变层 溢出 防止层 活性层 势垒 空穴 尖峰 异质结 有效地 衬底 带隙 导带 电阻 价带 发热 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，包括：衬底；第一半导体层，形成在所述衬底之上并且包括III‑V族化合物半导体；第二半导体层，形成在所述第一半导体层之上并且包括III‑V族化合物半导体；第三半导体层，形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且包括III‑V族化合物半导体；和第四半导体层，形成在所述第三半导体层和所述第二半导体层之间，并且包括III‑V族化合物半导体，其中所述第一半导体层的折射率高于所述第二半导体层的折射率，以及其中所述第四半导体层的带隙大于所述第三半导体层的带隙。
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