[发明专利]一种碳基插层化合物及其制备方法、应用有效
| 申请号： | 201810575431.9 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110571410B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李现化;孟垂舟;汪国庆;王俊明 | 申请（专利权）人： | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/054 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 065001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳基插层化合物及其制备方法、应用，涉及铝离子电池技术领域，以使得碳基插层化合物应用于铝离子电池时，铝离子电池具有较高的比容量。所述该碳基插层化合物包括碳源材料，所述碳源材料具有层间结构，所述碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝。所述碳基插层化合物的制备方法用于制备上述碳基插层化合物。本发明提供的碳基插层化合物用于铝离子电池中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳基插层 化合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碳基插层化合物，其特征在于，包括碳源材料，所述碳源材料具有层间结构，所述碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝。/n
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