[发明专利]具有氢阻挡层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备有效
| 申请号： | 201810567638.1 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN109768082B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 任曙延;李禧成;金昇鎭;金圣起 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/423;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：设置在基板上的氧化物半导体层；在与氧化物半导体层隔离的状态下与氧化物半导体层的至少一部分重叠的栅极电极；连接至氧化物半导体层的源极电极；和以与源极电极间隔开的状态连接至氧化物半导体层的漏极电极，其中所述氧化物半导体层包括设置在基板上的第一子层、设置在第一子层上的第二子层和设置在第二子层上的第三子层，第二子层具有比第一子层和第三子层大的电阻以及比第一子层和第三子层低的载流子浓度，第一子层具有比第二子层和第三子层高的氢浓度，第一子层和第二子层的每一个具有结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻挡 薄膜晶体管 包括 显示 设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在基板上并且包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第二子层设置在所述第一子层和所述第三子层之间，其中所述第二子层具有比所述第一子层和所述第三子层大的电阻以及比所述第一子层和所述第三子层低的载流子浓度，所述第一子层具有比所述第二子层和所述第三子层高的氢浓度，所述第一子层和所述第二子层的每一个具有结晶度。
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