[发明专利]一种蒸镀用硅预熔方法在审
| 申请号： | 201810562623.6 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110551977A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 周莉;汤庆敏;刘存志;任忠祥;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种蒸镀用硅预熔方法，包括如下步骤：a)将坩埚表面进行打磨，打磨后用去离子水进行冲洗，冲洗后用无水乙醇清洗；b)将坩埚用氮气吹干；c)初熔操作；d)复熔操作；e)终熔操作。初熔、复熔以及终熔步骤中每次只添加三分之一的单晶硅，可以确保每次熔化时均匀受热，每次熔化时都是二次升温二次降温的过程，有效减少单晶硅蒸发过程中的崩硅问题，从而提高成品率，复熔时比初熔的电子束扫描面积增加，同时复熔时升温过程中电子束功率也比初熔时升温过程中电子束功率增加，可以确保单位质量的单晶硅块的热量一致，终熔升温过程中电子束功率比复熔时电子束功率增加，其目的也是确保单位质量的单晶硅块的热量一致。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束功率 升温过程 熔化 单晶硅 单晶硅块 冲洗 打磨 无水乙醇清洗 电子束扫描 氮气吹干 二次升温 均匀受热 面积增加 去离子水 有效减少 蒸发过程 坩埚表面 成品率 预熔 蒸镀 坩埚 | ||
【主权项】：
1.一种蒸镀用硅预熔方法，其特征在于，包括如下步骤：/na)将坩埚表面进行打磨，打磨后用去离子水进行冲洗，冲洗后用无水乙醇清洗；/nb)将坩埚用氮气吹干；/nc)初熔操作：/nc-1)在坩埚中放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；/nc-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；/nc-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-30分钟；/nc-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并保持10-30分钟；/nc-5) 降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并10-30分钟；/nc-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；/nd)复熔操作：/nd-1)在坩埚中再放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；/nd-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；/nd-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-40分钟；/nd-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；/nd-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；/nd-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；/ne)终熔操作：/ne-1) 在坩埚中填满单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持5-25分钟；/ne-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；/ne-3) 增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持20-60分钟；/ne-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；/ne-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；/ne-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空。/n
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