[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810558138.1 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN110556338B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接且位于第二区两侧，所述第一区和第二区基底上分别具有鳍部，相邻鳍部之间具有初始开口，所述鳍部顶部具有阻挡层；在所述鳍部和阻挡层侧壁形成侧墙，使得所述初始开口形成开口；在第二区的开口内形成隔离层，所述隔离层顶部高于鳍部顶部表面；形成隔离层后，去除侧墙和阻挡层；去除侧墙和阻挡层后，形成横跨鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部部分侧壁和顶部表面，且所述栅极结构覆盖所述隔离层侧壁。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接且位于第二区两侧，所述第一区和第二区基底上分别具有鳍部，相邻鳍部之间具有初始开口，所述鳍部顶部具有阻挡层；/n在所述鳍部和阻挡层侧壁形成侧墙，使得所述初始开口形成开口；/n在第二区的开口内形成隔离层，所述隔离层顶部高于鳍部顶部表面；/n形成隔离层后，去除侧墙和阻挡层；/n去除侧墙和阻挡层后，形成横跨鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部部分侧壁和顶部表面，且所述栅极结构覆盖所述隔离层侧壁。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
